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2024年深圳市龍華區(qū)關于支持半導體與集成電路產業(yè)發(fā)展若干措施
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深圳市龍華區(qū)關于支持半導體與集成電路產業(yè)發(fā)展若干措施

第一章 總則

  第一條 為落實國家、省、市關于發(fā)展半導體與集成電路產業(yè)戰(zhàn)略部署,搶抓產業(yè)重大發(fā)展機遇,圍繞培育壯大戰(zhàn)略性新興產業(yè),打造龍華區(qū)“1+2+3”現(xiàn)代制造業(yè)產業(yè)體系,推動龍華區(qū)半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展,推動產業(yè)創(chuàng)新成果加快轉化為新質生產力,根據《新時期促進集成電路產業(yè)和軟件產業(yè)高質量發(fā)展的若干政策》《廣東省培育半導體及集成電路戰(zhàn)略性新興產業(yè)集群行動計劃(2021-2025年)》和深圳市半導體與集成電路產業(yè)規(guī)劃等有關文件精神,結合龍華區(qū)實際,制定本措施。

  第二條 本措施按照公開、公平、公正原則,實行總量控制、自愿申報、政府決策、社會公示。若各類項目審核資助金額超過資金總預算,實際資助金額按照比例執(zhí)行。

  第三條 申報主體原則上必須是具有獨立法人資格及實際經營地在深圳市龍華區(qū)的半導體與集成電路設計、制造、封裝測試、設備、材料、零部件、EDA/IP等企業(yè)、機構或組織。

第二章 推動產業(yè)集聚發(fā)展

  第四條 支持企業(yè)發(fā)展壯大。

  對上年度營業(yè)收入在5000萬元以上且正增長的企業(yè),給予10萬元的一次性獎勵。

  本條政策年度資助總金額最高1000萬元。

  第五條 支持企業(yè)兼并重組

  支持企業(yè)圍繞產業(yè)鏈上下游通過兼并、收購等多種形式開展并購重組。對成功并購國內外半導體與集成電路產業(yè)鏈相關企業(yè)(含研發(fā)機構),且并購金額在5000萬元以上的,對企業(yè)實施兼并重組過程中發(fā)生的第三方法律盡調、業(yè)務評估、財務審計費用,按照實際支出費用的50%,給予最高500萬元的一次性資助。

  第六條 支持產業(yè)園區(qū)建設運營。

  對經區(qū)產業(yè)主管部門評估的半導體與集成電路專業(yè)園區(qū),按照上年度運營費用的10%,給予園區(qū)運營公司每年最高100萬元的資助。

  對經區(qū)產業(yè)主管部門評估的半導體與集成電路企業(yè)和機構,按照上年度實際支付租金的50%,給予每年最高20萬元、最長3年的房租資助。

第三章 提升產業(yè)創(chuàng)新能力

  第七條 支持半導體與集成電路設計。

 ?。ㄒ唬┲С諩DA購買。對購買國產化EDA設計工具軟件(含軟件升級費用)開展芯片研發(fā)的企業(yè),按照上年度實際支出費用的15%給予每年最高100萬元的資助。

  (二)支持IP購買。對購買國產化IP開展芯片研發(fā)的企業(yè),按照上年度實際支出費用的30%給予每年最高100萬元的資助。

 ?。ㄈ╅_展MPW(多項目晶圓)項目。對開展MPW流片的企業(yè),按照上年度MPW流片費用的50%給予每年最高100萬元的資助。

 ?。ㄋ模┦状喂こ塘髌?。對開展首次工程流片的企業(yè),按照上年度首次工程流片費用的20%給予每年最高100萬元的資助。

  本條政策年度資助總金額最高1500萬元。

  第八條 支持設計工具研發(fā)。

  對從事EDA軟件開發(fā)、IP工具開發(fā)的企業(yè),按上年度研發(fā)投入的20%給予每年最高500萬元資助。

  本條政策年度資助總金額最高1000萬元。

  第九條 支持產品測試驗證。

  對在第三方機構開展工程樣片、設備、材料的功能、可靠性、兼容性、失效分析等方面測試驗證及相關認證的企業(yè),按照上年度實際支出費用的15%給予每年最高100萬元的資助。

  本條政策年度資助總金額最高1000萬元。

  第十條 支持產品推廣應用。

  對銷售自研芯片、模組、自研化合物半導體材料、自研化合物半導體裝備等產品的企業(yè),且符合龍華產業(yè)發(fā)展導向,給予每年最高250萬元的獎勵。

第四章 完善產業(yè)生態(tài)體系

  第十一條 降低企業(yè)用房成本。

  對在廠房建設中支出千級及以下潔凈室裝修工程費的企業(yè),上年度建成并投入100萬元至1000萬元的,按照上年度實際投入費用的30%給予最高150萬元的一次性資助;上年度建成并投入1000萬元以上的,按照上年度實際投入費用的15%給予最高300萬元的一次性資助。

  本條政策年度資助總金額最高1000萬元。

  第十二條 降低企業(yè)用人成本。

  對企業(yè)上年度用于支付技術研發(fā)、工程技術骨干和高級管理人員薪金的成本給予一定比例資助,按照上年度總產值10億元以上(含)、5億元(含)-10億元(不含)、5億元以下(不含)的企業(yè),給予每年最高800萬元、500萬元、300萬元的資助。

  本條政策年度資助總金額最高2000萬元。

  第十三條 支持公共服務平臺建設運營。

  對經評估通過的集成電路公共服務平臺,按照自有資金投入的50%給予最高100萬元的一次性資助;對其用房租賃,按照上年度實際支付租金的50%給予每年最高50萬元的資助,最長3年。

  第十四條 支持企業(yè)融資。

  對近2年獲得天使投資、風險投資、創(chuàng)業(yè)投資等基金投資入股、且單輪投資在2000萬元以上的企業(yè),經評估,按本輪到位資金的5%給予最高200萬元的獎勵。獲得本條獎勵后再次獲得融資的,不再給予獎勵。(投資額為扣除龍華區(qū)政府股權投資基金出資部分及其子基金政府股權投資部分)

  第十五條 加強產業(yè)服務支撐。

  鼓勵半導體與集成電路產業(yè)領域企業(yè)、機構及其他組織舉辦會議會展、項目路演、技術論壇、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽等要素對接活動(平臺),依法依規(guī)采取政府購買服務方式給予支持。

第五章 附則

  第十六條 為提高科技資源使用效率,為新質生產力的培育與發(fā)展提供有力支撐,落實國家、省、市有關要求,對政府投入建設的科技設施與科研儀器應按要求開放共享,具體按照《深圳市促進重大科技基礎設施和大型科研儀器開放共享管理辦法》(深府辦規(guī)〔2022〕3號)等有關規(guī)定執(zhí)行。

  第十七條 本措施涉及資助比例和限額均為上限,實際資助比例和金額受年度預算總量控制。同一事項,適用于本措施,同時又適用于龍華區(qū)其它扶持政策時,企業(yè)可按照就高不就低的原則自主選擇申報,不予重復扶持。

  第十八條 深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局是本措施的實施部門,按照有關規(guī)定履行職責。實施期間如遇國家、省、市、區(qū)有關政策規(guī)定調整的,可按實際情況進行相應調整。其他未盡事宜由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局開展解釋工作。

  第十九條 深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局將采取不定期抽查方式,對獲資助單位異常情況進行排查。申請人存在弄虛作假、隱瞞事實、串通作弊、出具虛假報告、被列入嚴重失信主體名單等情形的,根據國家、省、市、區(qū)有關法律、法規(guī)、規(guī)章、規(guī)范性文件的規(guī)定,深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局視情況采取責令改正、不予核查通過、停止撥付、追回專項資金并同步追繳孳息、追究相應法律責任等措施。

  第二十條 本措施規(guī)定的“最高”“以上”“最長”“不超過”等表述未作具體說明的均包括本數(shù)。所有項目的國家、省、市、區(qū)資助總額不超過項目實際投資總額。資助金額按萬元計,不為整數(shù)時取兩位小數(shù)(只舍不入)。本措施中“近2年”是指申報之日(含申報之日)前2年內,“上年度”指上一個自然年,即1月1日至12月31日。

  第二十一條 本措施自2025年1月1日起施行,有效期3年。

  第二十二條 適用對象主營業(yè)務目錄。

 ?。ㄒ唬┘呻娐沸酒O計及其服務。主要包括中央處理器(CPU)、圖形處理器(GPU)、微控制器(MCU)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、存儲器、數(shù)字信號處理器(DSP)、嵌入式CPU、AI芯片、通信芯片、數(shù)字電視芯片、存儲模組、先進模組、多媒體芯片、信息安全和視頻監(jiān)控芯片、智能卡芯片、汽車電子芯片、工業(yè)控制芯片、智能電網芯片、傳感器芯片、電源管理芯片、圖像傳感器芯片、人機交互處理芯片、模擬射頻芯片、功率半導體芯片、功率控制電路及半導體電力電子器件、光電混合集成電路等芯片設計及上述芯片產品的EDA設計工具研發(fā)、IP產品研發(fā)等。

 ?。ǘ┘呻娐沸酒圃臁>€寬等于及小于100納米的大規(guī)模數(shù)字集成電路制造,等于及小于0.5微米的模擬集成電路、數(shù)?;旌霞呻娐分圃斓?。

 ?。ㄈ┘呻娐沸酒庋b測試。系統(tǒng)級封裝(SIP)、多芯片組件封裝(MCM)、芯片級封裝(CSP)、圓片級封裝(WLP)、球柵陣列封裝(BGA)、插針網格陣列封裝(PGA)、覆晶封裝(FlipChip)、硅通孔(TSV)、扇出晶圓級封裝(Fan-Out)、三維封裝(3D)等。

 ?。ㄋ模┌雽w材料。主要包括6英寸/8英寸/12英寸集成電路硅片、絕緣體上硅(SOI)、化合物半導體材料(含SIC、GAN等第三代半導體材料),光刻膠、靶材、拋光液、研磨液、封裝材料等。

 ?。ㄎ澹?span style="-webkit-tap-highlight-color: transparent; margin: 0px; padding: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; overflow-wrap: break-word !important;">半導體設備。主要包括6英寸/8英寸/12英寸集成電路生產線所用的光刻機、刻蝕機、離子注入機、退火設備、單晶生長設備、薄膜生長設備、化學機械拋光設備、檢測量測設備、封裝設備、測試設備及零部件等。

 ?。┌雽w產品。主要包括功率器件等。



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